基本信息
| 标准名称： | 决绝缘砷化镓单晶微区均匀性测试方法 |
| 英文名称： | Test method for microzone homogeneity of semi-insulating monocrystal gallium arsenide |
| 中标分类： | |
| 发布日期： | 2002-10-30 |
| 实施日期： | 2003-03-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 起草单位： | 中国电子科技集团公司第四十六所 |
| 出版社： | 工业电子出版社 |
| 出版日期： | 2004-04-19 |
| 页数： | 13页 |
适用范围
本标准规定了半绝缘砷化镓晶片中电阻率、碳浓度、EL2浓度和PL谱微区均匀性测量方法。本标准适用于半绝缘砷化镓晶片中电阻率、碳浓度、EL2浓度和PL谱微区均匀性的测试。
前言
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